Gamintojo produkto numeris:
TSM680P06CH X0G
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM680P06CH X0G-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventorius:
8799 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12899931
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM680P06CH X0G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
68mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
870 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
20W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251 (IPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pagrindinio produkto numeris
TSM680
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TSM680P06CHX0G
TSM680P06CH X0G-DG
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMT6016LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
TSM500P02CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
TSM280NB06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN
